Admittance memory cycles of Ta2O5-ZrO2-based RRAM devices
- Dueñas, S.
- Castán, H.
- Ossorio, O.G.
- Domínguez, L.A.
- García, H.
- Kalam, K.
- Kukli, K.
- Ritala, M.
- Leskelä, M.
Konferenzberichte:
2017 32nd Conference on Design of Circuits and Integrated Systems, DCIS 2017 - Proceedings
ISBN: 9781538651087
Datum der Publikation: 2018
Ausgabe: 2017-November
Seiten: 1-4
Art: Konferenz-Beitrag