Comparative Equilibrium Analysis of Metalorganic Chemical Vapor Deposition (MOCVD) GaAs Growth Using Trimethylgallium (TMGa) with Arsine or Trimethylarsine (TMAs)

  1. Abril, E.J.
  2. Aguilar, M.
  3. Alonso, A.
  4. Lopez, M.
Revista:
Japanese Journal of Applied Physics

ISSN: 1347-4065,  0021-4922

Any de publicació: 1992

Volum: 31

Número: 6 R

Pàgines: 1721-1725

Tipus: Article

DOI: 10.1143/JJAP.31.1721 GOOGLE SCHOLAR
Font de les dades: Scopus