Comparative Equilibrium Analysis of Metalorganic Chemical Vapor Deposition (MOCVD) GaAs Growth Using Trimethylgallium (TMGa) with Arsine or Trimethylarsine (TMAs)

  1. Abril, E.J.
  2. Aguilar, M.
  3. Alonso, A.
  4. Lopez, M.
Zeitschrift:
Japanese Journal of Applied Physics

ISSN: 1347-4065,  0021-4922

Datum der Publikation: 1992

Ausgabe: 31

Nummer: 6 R

Seiten: 1721-1725

Art: Artikel

DOI: 10.1143/JJAP.31.1721 GOOGLE SCHOLAR
Datenquelle: Scopus