Growth of epitaxial layers of in doping GaAs by the vapour-phase epitaxial Trichloride method using a Gallium-Indium alloyed source

  1. Coronado, M.L.
  2. Abril, E.J.
  3. Aguilar, M.
Revista:
Japanese Journal of Applied Physics

ISSN: 1347-4065,  0021-4922

Año de publicación: 1987

Volumen: 26

Número: 3 A

Páginas: L193-L195

Tipo: Artículo

DOI: 10.1143/JJAP.26.L193 GOOGLE SCHOLAR
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