Fully porous GaN p-n junctions fabricated by chemical vapor deposition: A green technology towards more efficient LEDs

  1. Carvajal, J.J.
  2. Mena, J.
  3. Bilousov, O.V.
  4. Martínez, O.
  5. Jiménez, J.
  6. Zubialevich, V.Z.
  7. Parbrook, P.J.
  8. Geaney, H.
  9. O'Dwyer, C.
  10. Díaz, F.
  11. Aguiló, M.
Actes:
ECS Transactions

ISSN: 1938-5862,  1938-6737

ISBN: 9781607685913

Any de publicació: 2015

Volum: 66

Número: 1

Pàgines: 163-176

Tipus: Aportació congrés

DOI: 10.1149/06601.0163ECST GOOGLE SCHOLAR lock_openUVADOC editor

Projectes relacionats

NANOHILOS SEMICONDUCTORES PARA APLICACIONES FOTOVOLTAICAS Y DE CONVERSIÓN TERMOELÉCTRICA

2013/00383/001

Font de les dades: Scopus