Fully porous GaN p-n junctions fabricated by chemical vapor deposition: A green technology towards more efficient LEDs

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Aktak:
ECS Transactions

ISSN: 1938-5862,  1938-6737

ISBN: 9781607685913

Argitalpen urtea: 2015

Alea: 66

Zenbakia: 1

Orrialdeak: 163-176

Mota: Biltzar ekarpena

DOI: 10.1149/06601.0163ECST GOOGLE SCHOLAR lock_openUVADOC editor

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