Damage, defects and diffusion from ultra-low energy (0-5 keV) ion implantation of silicon

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Revista:
Materials Science in Semiconductor Processing

ISSN: 1369-8001

Año de publicación: 1998

Volumen: 1

Número: 1

Páginas: 17-25

Tipo: Artículo

DOI: 10.1016/S1369-8001(98)00008-0 GOOGLE SCHOLAR
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