Physical modeling of defects, dopant activation and diffusion in aggressively scaled bulk and SOI devices: Atomistic and continuum approaches

  1. Moroz, V.
  2. Martin-Bragado, I.
Actes:
Materials Research Society Symposium Proceedings

ISSN: 0272-9172

ISBN: 9781558998681

Any de publicació: 2006

Volum: 912

Pàgines: 179-190

Tipus: Aportació congrés

DOI: 10.1557/PROC-0912-C05-05 GOOGLE SCHOLAR

Objectius de Desenvolupament Sostenible

Font de les dades: Scopus