C-V, DLTS and conductance transient characterization of SiNx: H/InP interface improved by N2 remote plasma cleaning of the InP surface

  1. Castán, H.
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Revista:
Journal of Materials Science: Materials in Electronics

ISSN: 0957-4522

Año de publicación: 2001

Volumen: 12

Número: 4-6

Páginas: 263-267

Tipo: Artículo

DOI: 10.1023/A:1011219622378 GOOGLE SCHOLAR
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