Deep levels in p+-n junctions fabricated by rapid thermal annealing of Mg or Mg/P implanted InP
ISSN: 0021-8979
Any de publicació: 1997
Volum: 81
Número: 7
Pàgines: 3143-3150
Tipus: Article
ISSN: 0021-8979
Any de publicació: 1997
Volum: 81
Número: 7
Pàgines: 3143-3150
Tipus: Article