Deep levels in p+-n junctions fabricated by rapid thermal annealing of Mg or Mg/P implanted InP
ISSN: 0021-8979
Argitalpen urtea: 1997
Alea: 81
Zenbakia: 7
Orrialdeak: 3143-3150
Mota: Artikulua
ISSN: 0021-8979
Argitalpen urtea: 1997
Alea: 81
Zenbakia: 7
Orrialdeak: 3143-3150
Mota: Artikulua