Deep levels in p+-n junctions fabricated by rapid thermal annealing of Mg or Mg/P implanted InP
ISSN: 0021-8979
Datum der Publikation: 1997
Ausgabe: 81
Nummer: 7
Seiten: 3143-3150
Art: Artikel
ISSN: 0021-8979
Datum der Publikation: 1997
Ausgabe: 81
Nummer: 7
Seiten: 3143-3150
Art: Artikel