Atomic scale simulations of arsenic ion implantation and annealing in silicon

  1. Caturla, M.-J.
  2. Diaz de la Rubia, T.
  3. Jaraiz, M.
  4. Gilmer, G.H.
Actes:
Materials Research Society Symposium - Proceedings

ISSN: 0272-9172

Any de publicació: 1996

Volum: 396

Pàgines: 45-50

Tipus: Aportació congrés