Atomic scale simulations of arsenic ion implantation and annealing in silicon

  1. Caturla, M.-J.
  2. Diaz de la Rubia, T.
  3. Jaraiz, M.
  4. Gilmer, G.H.
Actas:
Materials Research Society Symposium - Proceedings

ISSN: 0272-9172

Ano de publicación: 1996

Volume: 396

Páxinas: 45-50

Tipo: Achega congreso