Atomic scale simulations of arsenic ion implantation and annealing in silicon
- Caturla, M.-J.
- Diaz de la Rubia, T.
- Jaraiz, M.
- Gilmer, G.H.
ISSN: 0272-9172
Datum der Publikation: 1996
Ausgabe: 396
Seiten: 45-50
Art: Konferenz-Beitrag
Konferenzberichte:
Materials Research Society Symposium - Proceedings