Electrical characterization of He-ion implantation-induced deep levels in p+n InP junctions
ISSN: 0021-8979
Any de publicació: 1999
Volum: 86
Número: 9
Pàgines: 4855-4860
Tipus: Article
ISSN: 0021-8979
Any de publicació: 1999
Volum: 86
Número: 9
Pàgines: 4855-4860
Tipus: Article