Electrical characterization of He-ion implantation-induced deep levels in p+n InP junctions
ISSN: 0021-8979
Ano de publicación: 1999
Volume: 86
Número: 9
Páxinas: 4855-4860
Tipo: Artigo
ISSN: 0021-8979
Ano de publicación: 1999
Volume: 86
Número: 9
Páxinas: 4855-4860
Tipo: Artigo