Electrical characterization of He-ion implantation-induced deep levels in p+n InP junctions

  1. Quintanilla, L.
  2. Pinacho, R.
  3. Enríquez, L.
  4. Peláez, R.
  5. Dueñas, S.
  6. Castán, E.
  7. Bailón, L.
  8. Barbolla, J.
Zeitschrift:
Journal of Applied Physics

ISSN: 0021-8979

Datum der Publikation: 1999

Ausgabe: 86

Nummer: 9

Seiten: 4855-4860

Art: Artikel

DOI: 10.1063/1.371452 GOOGLE SCHOLAR

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