Electrical characterization of a He ion implantation-induced deep level existing in p+n InP junctions

  1. Quintanilla, L.
  2. Pinacho, R.
  3. Enríquez, L.
  4. Peláez, R.
  5. Dueñas, S.
  6. Castán, E.
  7. Bailón, L.
  8. Barbolla, J.
Revista:
Journal of Applied Physics

ISSN: 0021-8979

Any de publicació: 1999

Volum: 85

Número: 11

Pàgines: 7978-7980

Tipus: Article

DOI: 10.1063/1.369388 GOOGLE SCHOLAR

Projectes relacionats

SIMULACION Y CARACTERIZACION DE LA IMPLANTACION IONICA EN SEMICONDUCTORES.

1996/00094/001

Font de les dades: Scopus