Electrical characterization of a He ion implantation-induced deep level existing in p+n InP junctions
ISSN: 0021-8979
Ano de publicación: 1999
Volume: 85
Número: 11
Páxinas: 7978-7980
Tipo: Artigo
ISSN: 0021-8979
Ano de publicación: 1999
Volume: 85
Número: 11
Páxinas: 7978-7980
Tipo: Artigo