Electrical characterization of a He ion implantation-induced deep level existing in p+n InP junctions

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Zeitschrift:
Journal of Applied Physics

ISSN: 0021-8979

Datum der Publikation: 1999

Ausgabe: 85

Nummer: 11

Seiten: 7978-7980

Art: Artikel

DOI: 10.1063/1.369388 GOOGLE SCHOLAR

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