Atomistic modeling of the effects of dose and implant temperature on dopant diffusion and amorphization in Si

  1. Pelaz, L.
  2. Marques, L.A.
  3. Gilmer, G.H.
  4. Jaraiz, M.
  5. Barbolla, J.
Zeitschrift:
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms

ISSN: 0168-583X

Datum der Publikation: 2001

Ausgabe: 180

Nummer: 1-4

Seiten: 12-16

Art: Konferenz-Beitrag

DOI: 10.1016/S0168-583X(01)00390-1 GOOGLE SCHOLAR
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