Atomistic modeling of the effects of dose and implant temperature on dopant diffusion and amorphization in Si
- Pelaz, L.
- Marques, L.A.
- Gilmer, G.H.
- Jaraiz, M.
- Barbolla, J.
ISSN: 0168-583X
Ano de publicación: 2001
Volume: 180
Número: 1-4
Páxinas: 12-16
Tipo: Achega congreso