Dopant redistribution effects in preamorphized silicon during low temperature annealing

  1. Venezia, V.C.
  2. Duffy, R.
  3. Pelaz, L.
  4. Aboy, M.
  5. Heringa, A.
  6. Griffin, P.B.
  7. Wang, C.C.
  8. Hopstaken, M.J.P.
  9. Tamminga, Y.
  10. Dao, T.
  11. Pawlak, B.J.
  12. Roozeboom, F.
Actes:
Technical Digest - International Electron Devices Meeting

ISSN: 0163-1918

Any de publicació: 2003

Pàgines: 489-492

Tipus: Aportació congrés