Dopant redistribution effects in preamorphized silicon during low temperature annealing

  1. Venezia, V.C.
  2. Duffy, R.
  3. Pelaz, L.
  4. Aboy, M.
  5. Heringa, A.
  6. Griffin, P.B.
  7. Wang, C.C.
  8. Hopstaken, M.J.P.
  9. Tamminga, Y.
  10. Dao, T.
  11. Pawlak, B.J.
  12. Roozeboom, F.
Actas:
Technical Digest - International Electron Devices Meeting

ISSN: 0163-1918

Ano de publicación: 2003

Páxinas: 489-492

Tipo: Achega congreso