Atomistic modeling of ion beam induced amorphization in silicon
ISSN: 0168-583X
Any de publicació: 2004
Volum: 216
Número: 1-4
Pàgines: 41-45
Tipus: Aportació congrés
ISSN: 0168-583X
Any de publicació: 2004
Volum: 216
Número: 1-4
Pàgines: 41-45
Tipus: Aportació congrés