Atomistic modeling of ion beam induced amorphization in silicon
ISSN: 0168-583X
Datum der Publikation: 2004
Ausgabe: 216
Nummer: 1-4
Seiten: 41-45
Art: Konferenz-Beitrag
ISSN: 0168-583X
Datum der Publikation: 2004
Ausgabe: 216
Nummer: 1-4
Seiten: 41-45
Art: Konferenz-Beitrag