Atomistic modeling of ion beam induced amorphization in silicon
ISSN: 0168-583X
Ano de publicación: 2004
Volume: 216
Número: 1-4
Páxinas: 41-45
Tipo: Achega congreso
ISSN: 0168-583X
Ano de publicación: 2004
Volume: 216
Número: 1-4
Páxinas: 41-45
Tipo: Achega congreso