Atomistic modeling of ion beam induced amorphization in silicon
ISSN: 0168-583X
Année de publication: 2004
Volumen: 216
Número: 1-4
Pages: 41-45
Type: Communication dans un congrès
ISSN: 0168-583X
Année de publication: 2004
Volumen: 216
Número: 1-4
Pages: 41-45
Type: Communication dans un congrès