Atomistic modeling of ion beam induced amorphization in silicon
ISSN: 0168-583X
Any de publicació: 2005
Volum: 241
Número: 1-4
Pàgines: 501-505
Tipus: Aportació congrés
ISSN: 0168-583X
Any de publicació: 2005
Volum: 241
Número: 1-4
Pàgines: 501-505
Tipus: Aportació congrés