Atomistic modeling of ion beam induced amorphization in silicon
ISSN: 0168-583X
Ano de publicación: 2005
Volume: 241
Número: 1-4
Páxinas: 501-505
Tipo: Achega congreso
ISSN: 0168-583X
Ano de publicación: 2005
Volume: 241
Número: 1-4
Páxinas: 501-505
Tipo: Achega congreso