Atomistic modeling of ion beam induced amorphization in silicon
ISSN: 0168-583X
Année de publication: 2005
Volumen: 241
Número: 1-4
Pages: 501-505
Type: Communication dans un congrès
ISSN: 0168-583X
Année de publication: 2005
Volumen: 241
Número: 1-4
Pages: 501-505
Type: Communication dans un congrès