Atomistic modeling of dopant implantation and annealing in Si: Damage evolution, dopant diffusion and activation

  1. Pelaz, L.
  2. Marqués, L.A.
  3. Aboy, M.
  4. López, P.
  5. Barbolla, J.
Revista:
Computational Materials Science

ISSN: 0927-0256

Año de publicación: 2005

Volumen: 33

Número: 1-3

Páginas: 92-105

Tipo: Aportación congreso

DOI: 10.1016/J.COMMATSCI.2004.12.043 GOOGLE SCHOLAR
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