Boron pocket and channel deactivation in nMOS transistors with SPER junctions

  1. Duffy, R.
  2. Aboy, M.
  3. Venezia, V.C.
  4. Pelaz, L.
  5. Severi, S.
  6. Pawlak, B.J.
  7. Eyben, P.
  8. Janssens, T.
  9. Vandervorst, W.
  10. Loo, J.
  11. Roozeboom, F.
Revista:
IEEE Transactions on Electron Devices

ISSN: 0018-9383

Any de publicació: 2006

Volum: 53

Número: 1

Pàgines: 71-76

Tipus: Article

DOI: 10.1109/TED.2005.860651 GOOGLE SCHOLAR
Font de les dades: Scopus