Boron pocket and channel deactivation in nMOS transistors with SPER junctions

  1. Duffy, R.
  2. Aboy, M.
  3. Venezia, V.C.
  4. Pelaz, L.
  5. Severi, S.
  6. Pawlak, B.J.
  7. Eyben, P.
  8. Janssens, T.
  9. Vandervorst, W.
  10. Loo, J.
  11. Roozeboom, F.
Revista:
IEEE Transactions on Electron Devices

ISSN: 0018-9383

Ano de publicación: 2006

Volume: 53

Número: 1

Páxinas: 71-76

Tipo: Artigo

DOI: 10.1109/TED.2005.860651 GOOGLE SCHOLAR
Fonte de datos: Scopus