An in situ transmission electron microscope study of the anomalous annealing of spatially isolated disordered zones in silicon

  1. Edmondson, P.D.
  2. Birtcher, R.C.
  3. Vishnyakov, V.M.
  4. Lopez, P.
  5. Pelaz, L.
  6. Marques, L.A.
  7. Donnelly, S.E.
Actes:
Journal of Physics: Conference Series

ISSN: 1742-6596,  1742-6588

Any de publicació: 2006

Volum: 26

Número: 1

Pàgines: 284-287

Tipus: Aportació congrés

DOI: 10.1088/1742-6596/26/1/068 GOOGLE SCHOLAR lock_openAccés obert editor
Font de les dades: Scopus