Atomistic modeling of defect diffusion and interdiffusion in SiGe heterostructures
ISSN: 0040-6090
Año de publicación: 2010
Volumen: 518
Número: 9
Páginas: 2448-2453
Tipo: Artículo
ISSN: 0040-6090
Año de publicación: 2010
Volumen: 518
Número: 9
Páginas: 2448-2453
Tipo: Artículo