Dopant dynamics and defects evolution in implanted silicon under laser irradiations: A coupled continuum and kinetic Monte Carlo approach

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Actas:
International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices, SISPAD

ISBN: 9781467357364

Año de publicación: 2013

Páginas: 33-36

Tipo: Aportación congreso

DOI: 10.1109/SISPAD.2013.6650567 GOOGLE SCHOLAR
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