2 MeV electron irradiation effects on bulk and interface of atomic layer deposited high-k gate dielectrics on silicon

  1. García, H.
  2. Castán, H.
  3. Dueñas, S.
  4. Bailón, L.
  5. Campabadal, F.
  6. Rafí, J.M.
  7. Zabala, M.
  8. Beldarrain, O.
  9. Ohyama, H.
  10. Takakura, K.
  11. Tsunoda, I.
Revista:
Thin Solid Films

ISSN: 0040-6090

Año de publicación: 2013

Volumen: 534

Páginas: 482-487

Tipo: Artículo

DOI: 10.1016/J.TSF.2013.02.004 GOOGLE SCHOLAR

Objetivos de desarrollo sostenible