Influences of the temperature on the electrical properties of HfO2-based resistive switching devices

  1. García, H.
  2. Boo, J.
  3. Vinuesa, G.
  4. Ossorio, Ó.G.
  5. Sahelices, B.
  6. Dueñas, S.
  7. Castán, H.
  8. González, M.B.
  9. Campabadal, F.
Revista:
Electronics (Switzerland)

ISSN: 2079-9292

Any de publicació: 2021

Volum: 10

Número: 22

Tipus: Article

DOI: 10.3390/ELECTRONICS10222816 GOOGLE SCHOLAR lock_openAccés obert editor

Objectius de Desenvolupament Sostenible

Font de les dades: Scopus