Analysis and control of the intermediate memory states of RRAM devices by means of admittance parameters

  1. Castán, H.
  2. Dueñas, S.
  3. García, H.
  4. Ossorio, O.G.
  5. Domínguez, L.A.
  6. Sahelices, B.
  7. Miranda, E.
  8. González, M.B.
  9. Campabadal, F.
Revista:
Journal of Applied Physics

ISSN: 1089-7550,  0021-8979

Ano de publicación: 2018

Volume: 124

Número: 15

Tipo: Artigo

DOI: 10.1063/1.5024836 GOOGLE SCHOLAR lock_openUVADOC editor
Fonte de datos: Scopus