Fully porous GaN p-n junctions fabricated by chemical vapor deposition: A green technology towards more efficient LEDs

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Actas:
ECS Transactions

ISSN: 1938-5862,  1938-6737

ISBN: 9781607685913

Año de publicación: 2015

Volumen: 66

Número: 1

Páginas: 163-176

Tipo: Aportación congreso

DOI: 10.1149/06601.0163ECST GOOGLE SCHOLAR lock_openUVADOC editor

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