Physical modeling of defects, dopant activation and diffusion in aggressively scaled bulk and SOI devices: Atomistic and continuum approaches

  1. Moroz, V.
  2. Martin-Bragado, I.
Actas:
Materials Research Society Symposium Proceedings

ISSN: 0272-9172

ISBN: 9781558998681

Año de publicación: 2006

Volumen: 912

Páginas: 179-190

Tipo: Aportación congreso

DOI: 10.1557/PROC-0912-C05-05 GOOGLE SCHOLAR
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