Publicaciones (69) Publicaciones de IGNACIO MARTIN BRAGADO

2018

  1. Kinetic Monte Carlo simulation for semiconductor processing: A review

    Progress in Materials Science, Vol. 92, pp. 1-32

2014

  1. Atomistic modelling and simulation of arsenic diffusion including mobile arsenic clusters

    Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science, Vol. 211, Núm. 1, pp. 147-151

  2. Modeling of boron diffusion in silicon-germanium alloys using Kinetic Monte Carlo

    Solid-State Electronics, Vol. 93, pp. 61-65

2008

  1. From point defects to dislocation loops: A comprehensive modelling framework for self-interstitial defects in silicon

    Solid-State Electronics, Vol. 52, Núm. 9, pp. 1430-1436

  2. Long and double hop kinetic Monte Carlo: Techniques to speed up atomistic modeling without losing accuracy

    Materials Science and Engineering B: Solid-State Materials for Advanced Technology, Vol. 154-155, Núm. 1-3, pp. 202-206

2007

  1. From point defects to dislocation loops: A comprehensive TCAD model for self-interstitial defects in silicon

    ESSDERC 2007 - Proceedings of the 37th European Solid-State Device Research Conference

2006

  1. Do you speak English?: sprachen sie deutch? I don't understand...

    Mundo Linux: Sólo programadores Linux, Núm. 91, pp. 6

  2. E-Xistencia: El día a día del homo tecnologicus

    Mundo Linux: Sólo programadores Linux, Núm. 93, pp. 6

  3. El gobierno de los EEUU, unas compañías privadas y el software libre todos juntos

    Mundo Linux: Sólo programadores Linux, Núm. 88, pp. 6

  4. Grandes proyectos de software (IV): con GNU/Linux

    Mundo Linux: Sólo programadores Linux, Núm. 87, pp. 46-52

  5. Grandes proyectos de software (V): con GNU/Linux

    Mundo Linux: Sólo programadores Linux, Núm. 89, pp. 56-62

  6. Grandes proyectos de software (y VI): con GNU/Linux

    Mundo Linux: Sólo programadores Linux, Núm. 90, pp. 60-63

  7. Los sueños de un millonario

    Mundo Linux: Sólo programadores Linux, Núm. 87, pp. 6

  8. Modeling and simulation of the influence of SOI structure on damage evolution and ultra-shallow junction formed by Ge preamorphization implants and solid phase epitaxial regrowth

    Materials Research Society Symposium Proceedings

  9. Modeling charged defects, dopant diffusion and activation mechanisms for TCAD simulations using kinetic Monte Carlo

    Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms, Vol. 253, Núm. 1-2, pp. 63-67

  10. Physical modeling of defects, dopant activation and diffusion in aggressively scaled bulk and SOI devices: Atomistic and continuum approaches

    Materials Research Society Symposium Proceedings

  11. Startups: buscando el negocio

    Mundo Linux: Sólo programadores Linux, Núm. 92, pp. 7

  12. Ubuntu, Linspire y el ordenador de 95 dólares

    Mundo Linux: Sólo programadores Linux, Núm. 86, pp. 6

  13. Windowhólicos y Linuxhólicos

    Mundo Linux: Sólo programadores Linux, Núm. 89, pp. 6