Atomic scale simulations of arsenic ion implantation and annealing in silicon

  1. Caturla, M.-J.
  2. Diaz de la Rubia, T.
  3. Jaraiz, M.
  4. Gilmer, G.H.
Actas:
Materials Research Society Symposium - Proceedings

ISSN: 0272-9172

Año de publicación: 1996

Volumen: 396

Páginas: 45-50

Tipo: Aportación congreso

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