Electrical characterization of He-ion implantation-induced deep levels in p+n InP junctions

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Revista:
Journal of Applied Physics

ISSN: 0021-8979

Año de publicación: 1999

Volumen: 86

Número: 9

Páginas: 4855-4860

Tipo: Artículo

DOI: 10.1063/1.371452 GOOGLE SCHOLAR

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