Atomistic modeling of the effects of dose and implant temperature on dopant diffusion and amorphization in Si

  1. Pelaz, L.
  2. Marques, L.A.
  3. Gilmer, G.H.
  4. Jaraiz, M.
  5. Barbolla, J.
Revista:
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms

ISSN: 0168-583X

Año de publicación: 2001

Volumen: 180

Número: 1-4

Páginas: 12-16

Tipo: Aportación congreso

DOI: 10.1016/S0168-583X(01)00390-1 GOOGLE SCHOLAR
Fuente de los datos: Scopus