Atomistic analysis of defect evolution and transient enhanced diffusion in silicon

  1. Aboy, M.
  2. Pelaz, L.
  3. Marqués, L.A.
  4. Enriquez, L.
  5. Barbolla, J.
Revista:
Journal of Applied Physics

ISSN: 0021-8979

Any de publicació: 2003

Volum: 94

Número: 2

Pàgines: 1013-1018

Tipus: Article

DOI: 10.1063/1.1586990 GOOGLE SCHOLAR
Font de les dades: Scopus