Atomistic analysis of defect evolution and transient enhanced diffusion in silicon
ISSN: 0021-8979
Año de publicación: 2003
Volumen: 94
Número: 2
Páginas: 1013-1018
Tipo: Artículo
ISSN: 0021-8979
Año de publicación: 2003
Volumen: 94
Número: 2
Páginas: 1013-1018
Tipo: Artículo