Atomistic analysis of defect evolution and transient enhanced diffusion in silicon
ISSN: 0021-8979
Ano de publicación: 2003
Volume: 94
Número: 2
Páxinas: 1013-1018
Tipo: Artigo
ISSN: 0021-8979
Ano de publicación: 2003
Volume: 94
Número: 2
Páxinas: 1013-1018
Tipo: Artigo